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氣相化學(xué)沉積設(shè)備哪家好-沈陽鵬程(推薦商家)

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發(fā)布時(shí)間:2021-02-09 10:05  





化學(xué)氣相沉積的應(yīng)用

現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機(jī)新材料,氣相化學(xué)沉積設(shè)備哪家好,這些功能材料必須是高純的,或者是在高純材料中有意地?fù)饺肽撤N雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是,我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求,也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此,無機(jī)新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。

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PCVD工藝的具體流程

PCVD工藝的具體流程如下:

(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進(jìn)高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計(jì)要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

(2)熔縮。沿管子方向往返移動(dòng)的石墨電阻爐對(duì)小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃,在表面張力的作用下,氣相化學(xué)沉積設(shè)備廠家,分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實(shí)心棒(預(yù)制棒)。

(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例,將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中,這樣裝配后即可進(jìn)行拉絲。

(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部,下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中,此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm),并進(jìn)行雙層涂覆和紫外固化。

(5)光纖測(cè)試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試,以確定光纖的幾何、光學(xué)和機(jī)械性能。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜:

化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,氣相化學(xué)沉積設(shè)備,也有一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲(chǔ)記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。

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