磁控濺射鍍膜機(jī)價(jià)格-磁控濺射鍍膜機(jī)-創(chuàng)世威納公司

磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點(diǎn)

(1)鋼件形變小因?yàn)殇摷韺觿蚍Q遮蓋輝光，溫度完整性好，能夠根據(jù)操縱輸出功率輸出來保持勻稱提溫。另一個(gè)陰極無心插柳相抵了滲人原素造成的規(guī)格擴(kuò)一整 

(2)滲層的機(jī)構(gòu)和構(gòu)造易于控制根據(jù)調(diào)節(jié)加工工藝主要參數(shù)，可獲得單相電或多相的滲層機(jī)構(gòu) 

(3)鋼件不必額外清除陰極無心插柳能夠合理除去空氣氧化膜，清潔鋼件表層，一起真空泵解決無新生兒空氣氧化膜，磁控濺射鍍膜機(jī)價(jià)格，這種都降低了額外機(jī)器設(shè)備和綜合工時(shí)，減少了成本費(fèi)。 

(4)防水層便捷不需滲的地區(qū)可簡易地遮掩起來，對自然環(huán)境綠色食品，磁控濺射鍍膜機(jī)生產(chǎn)廠家，零污染，勞動者標(biāo)準(zhǔn)好。 

(5)經(jīng)濟(jì)收益高，耗能小盡管原始機(jī)器設(shè)備項(xiàng)目投資很大，但加工工藝成本費(fèi)極低，是這種便宜的工程設(shè)計(jì)方式 。除此之外，離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)性易保持加工工藝全過程或滲層品質(zhì)的運(yùn)動控制系統(tǒng)，品質(zhì)可重復(fù)性好，可執(zhí)行性強(qiáng)。

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直流磁控濺射技術(shù)

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀(jì)開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動，其運(yùn)動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，磁控濺射鍍膜機(jī)安裝，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，磁控濺射鍍膜機(jī)，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽極時(shí)，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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磁控濺射鍍膜的特點(diǎn)

1、靶材粒子能量高（比熱蒸發(fā)高出1個(gè)數(shù)量級），所制備膜層更致密，與石英片結(jié)合力更高：

2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制備熔點(diǎn)高的材料；

4、制備合金膜層，可以保證膜層材料比例與靶材相同；

5、由于裝有中和器，也可以用來制備絕緣膜層。

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