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150度存儲(chǔ)器現(xiàn)貨

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

當(dāng)需要外部高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，通常選擇并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件來滿足對非易失性存儲(chǔ)器的要求。一些設(shè)計(jì)還將閃存器件用作程序存儲(chǔ)器，但保留一個(gè)扇區(qū)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。這種方法可以降低成本、空間并提供非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

針對非易失性存儲(chǔ)器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微線(Microwire)通訊總線，而串行閃存通常使用SPI總線。由于寫入速度很快且?guī)в蠭2C和SPI串行接口，F(xiàn)RAM在一些系統(tǒng)中得到應(yīng)用。

210度存儲(chǔ)器現(xiàn)貨

EEPROM與閃存

從軟件角度看，存儲(chǔ)器，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，銷售150度存儲(chǔ)器廠家，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進(jìn)行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作，經(jīng)營210度存儲(chǔ)器廠家，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。

高溫175度存儲(chǔ)器

分類

按存儲(chǔ)介質(zhì)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。

磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。

按存儲(chǔ)方式

隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。

順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。

按讀寫功能

只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

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