微弧氧化生產(chǎn)線哪里賣-日照微弧技術(shù)-微弧氧化生產(chǎn)線

用正交試驗(yàn)法，對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo)，微弧氧化生產(chǎn)線，以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì)，并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對(duì)正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察；利用Image J軟件對(duì)陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測(cè)量。

結(jié)果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為：正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。

1溫度對(duì)微弧氧化的影響

微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10-90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，微弧氧化生產(chǎn)線供貨商，會(huì)形成水氣。一般建議在20-60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，微弧氧化生產(chǎn)線加工廠，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過(guò)程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。

2.時(shí)間對(duì)微弧氧化的影響

微弧氧化時(shí)間一般控制在10~60min。氧化時(shí)間越長(zhǎng)，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。

3.陰極材料

陰極材料可選用不銹鋼，碳鋼，鎳等，可將上述材料懸掛使用或做成陰極槽體。

4.后處理對(duì)微弧氧化的影響

微弧氧化過(guò)后，工件可不經(jīng)過(guò)任何處理直接使用，也可進(jìn)行封閉，電泳，拋光等后續(xù)處理。折疊

ZL205A微弧氧化膜層耐蝕性能研究

利用硅酸鹽復(fù)合電解液體系，在ZL205A上采用微弧氧化法制備膜層。

所用的工藝參數(shù)為：恒流控制，電流密度3 A/dm^2，頻率500 Hz，終止電壓450 V。利用掃描電鏡對(duì)該膜層的形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析；對(duì)膜層的化學(xué)成分進(jìn)行分析；采用極化曲線評(píng)價(jià)膜層的耐蝕性。

結(jié)果表明：所制備的微弧氧化膜層能提高ZL205A的耐蝕性。

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