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蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層,可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí),爐中元素以束狀分子流射向基片?;患訜岬揭欢囟龋练e在基片上的分子可以徙動,按基片晶格次序生長結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜,薄膜較慢生長速度可控制在1單層/秒。通過控制擋板,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。
陽極氧化:主要是鋁的陽極氧化,是利用電化學(xué)原理,在鋁和鋁合金的表面生成一層Al2O3(氧化鋁)膜。這層氧化膜具有防護(hù)性、裝飾性、絕緣性、耐磨性等特殊特性。
利用柔性拋光工具和磨料顆?;蚱渌麙伖饨橘|(zhì)對工件表面進(jìn)行的修飾加工。針對不同的拋光過程:粗拋(基礎(chǔ)拋光過程),中拋(精加工過程)和精拋(上光過程),選用合適的拋光輪可以達(dá)到好的拋光效果,同時(shí)提高拋光效率。
技術(shù)特點(diǎn):提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度,得到光滑表面或鏡面光澤,同時(shí)也可消除光澤。
現(xiàn)有技術(shù)中的手機(jī)指環(huán)扣,都是通過指環(huán)與底盤中部之間的鉸接來實(shí)現(xiàn)指環(huán)相對底盤掀起,繼而實(shí)現(xiàn)指環(huán)扣的折疊或支起,當(dāng)指環(huán)扣處在支起的狀態(tài)時(shí),指環(huán)扣只能相對手機(jī)殼自轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)從不同方向方便使用者使用;不銹鋼是容易產(chǎn)生硬化的材料,要求使用油膜強(qiáng)度高、抗燒結(jié)性好的拉伸油。同時(shí),現(xiàn)有技術(shù)中的指環(huán)扣都只是僅包括有底盤和指環(huán),對于指環(huán)扣的裝飾也限于底盤上的圖畫的變換,指環(huán)扣只能呈現(xiàn)一種靜態(tài)美。
可見,現(xiàn)有技術(shù)中的手機(jī)指環(huán)扣存在以下不足:
一,現(xiàn)有的指環(huán)扣只能通過在底盤中部轉(zhuǎn)動;
二,現(xiàn)有指環(huán)扣的裝飾難以根據(jù)使用者的喜愛而更換;
三,現(xiàn)有的指環(huán)扣上只能根據(jù)底盤的圖畫而呈現(xiàn)靜態(tài)美。