北京聚焦離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商擇優(yōu)推薦,北京創(chuàng)世威納

離子屬刻蝕機(jī)的注意事項

創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

#.在設(shè)備工作時,禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實際使用功率不能超過較大限制#.檢查設(shè)備時，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長期停放時注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長時間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

離子束刻蝕

離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達(dá)到刻蝕目的的技術(shù)，其分辨率限制于粒子進(jìn)入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，較以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)是在計算機(jī)控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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刻蝕氣體的選擇

對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料，可選擇氣體種類較多，比如CF4、CF4 H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過程可表示為：CHF3 e——CHF 2 F (游離基) 2e，SiO 2 4F SiF4 (氣體) O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF 2 基團(tuán)反應(yīng)， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體 [3]  。

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